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出版日期:2004-1-19  总期号:553 本年期号:03

本期导读
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更快 更高 更强
DDR500横向测试
《中国电脑教育报》


  ★DDR500诞生背景


 

    表1

  随着支持800mhz前端总线pentium 4芯片组、支持400mhz前端总线athlon xp芯片组和k8芯片组的推出,ddr400已经成为了个人电脑的标准配置。不过在intel处理器的roadmap中,已经出现了1.06ghz和1.2ghz前端总线的cpu,对应的ddr频率分别为533mhz和600mhz,提升的ddr频率势在必行。虽然ddr并不适合工作在这么高的频率下,但是在ddr2面世之前,高频的ddr还要担纲内存市场的主力。另一方面,一部分超频的用户对高频ddr内存存在迫切的需求。对于使用800mhz总线pentium4的用户来说,超频只有超前端总线的频率,可是当总线频率超过800mhz时,在内存同步设置的情况下,ddr400已经不能胜任这么高的频率了,要解决这个问题只有两个办法。一种方法是使用内存异步(例如5:4或者3:2),另一种方法是在同步的情况下使用高频内存。而就性能而言,后一种方法才能将系统的性能发挥到极点。


  ★DDR500是标准吗?


  DDR500是在DDR400的基础上发展而来,但这里所称的DDR500实际上是指内存能稳定工作在500MHz,并非存在DDR500这样一个标准。DDR500只能算上在行业和用户范围内达成的一个约定俗成的规定。此外有的厂商用PC4000来表示DDR500,这种命名规则是用用内存所能提供的带宽来表示内存型号(内存带宽值=内存频率值×64÷8,例如DDR500的内存带宽就是500×64÷8,其值为4000,因此DDR500也可以用PC4000来表示)。同理用这种方法表示其他内存型号(见表1)。

  DDR500和DDR400相比,DDR500由于工作在较高的频率下,许多原来的DDR400没有暴露的问题现在开始表现出来。首先,内存芯片的发热量成为最大的隐患。由于DDR500的频率比DDR400高出了25%,而且部分内存的工作电压增加到2.75V甚至更高。这样大的发热量使绝大多数DDR500都在内存芯片上加上散热片辅助散热。其次由于频率较高,电磁信号受干扰出错的几率也大大增加,这也成为高频内存不可忽视的问题。在机箱里面,除了内存本身各个线路的电磁干扰之外,还存在主板、电源等其他部件工作时对内存的电磁干扰。不过这个问题并不难解决,在内存两侧加装的金属散热片不仅能起到散热的作用,而且能起到一个金属屏蔽的作用,大大降低了周围部件对内存的影响。

  硬件平台

  CPU:Pentium4 3.2GHz(HT开启)

  主板:华硕P4C800 Deluxe(i875P)

  显卡:GeForceFX 5950 Ultra

  硬盘:希捷酷鱼3 40GB

  电源:航嘉磐石355

  软件平台

  操作系统:英文Windows XP+SP1

  +DirectX9.0b

  显卡驱动:ForceWare 53.03 WHQL版

  CCE评测室内存设定标准

  内存电压:2.85V

  频率:500MHz

  CAS Latency Time=3

  Active to Prechange=8

  DRAM RAS# to CAS# Delay=4

  DRAM RAS# Prechange=4

  测试软件

  Quake3、3DMark2001SE、SuperPI 209万位、PCMark04、Sisoft2004、Cacheman


  ★测试说明


  由于DDR500只是约定俗成的规定,并没有得到JEDEC组织的认可,因此本次参测内存的出厂设定都有所不同。为了公平公正地进行本次测试,我们将内存的测试分为两个部分,一个是按照内存的默认设定进行测试,以反映内存在标准状态下的性能;另一个是按照CCE评测室制定的标准进行测试,以反映出在同样的参数设定下,各个内存的性能优劣。


  ★测试结果分析


  从性能测试结果来看,大多数DDR500的成绩还是比较接近的。由于南方高科送测的是DDR466的产品,所以测试成绩稍有落后,此外该内存最高只能达到488MHz的频率,因此无法完成CCE评测室标准的测试。从整体上看,本次测试的内存性能都保持在同一水平。

  在和DDR400的性能对比中,DDR500显示了更为强劲的性能。在3D游戏方面,Quake3中DDR500比DD400快了20余帧,3DMark2001SE中DDR500也比DDR400高出500分左右;在SuperPI209万位测试中,DDR500的时间缩短了4秒;PCMark04的内存测试中,DDR500比DDR400得分高出700分左右;在实际内存带宽测试中,DDR500达到了5.8GB/s,而DDR400只有4.8GB/s;在Cacheman读写性能测试中,DDR500也有明显的提升。综合性能比较,DDR500要比DDR400高出约5%左右。


  ★总 结


  通过上述测试,我们可以看出DDR500能够提供比DDR400更加强劲的性能。如果你是一位疯狂的超频爱好者,DDR500还能够提供给你更大的超频潜力。但是由于DDR500需要散热片,PCB层数比DDR400多,内存颗粒的成本也很高,因此DDR500的实际售价都普遍比较高。以256MB内存为例,DDR400的价格一般在300~400元,而DDR500的价格则要在800元甚至更高。这个价格大约是DDR400价格的两倍。对于大多数消费者而言,这样高的价格是难以承受的。在价格和性能的综合权衡后,我们认为DDR500要取代DDR400成为市场主流还需要一段时间的过渡。

  测试成绩列表

测试成绩列表

  威刚   勤茂   富豪   南方高科   buffalo   ddr400 ddr533
  出厂默认 cce标准 出厂默认 cce标准 出厂默认 cce标准 出厂默认 cce标准 出厂默认 cce标准 2.5-7-3-3 3-8-4-4
quake3(fastest) 446.3 454.7 445.5 450.7 447.9 453.5 436.8  / 443.7 454.1 428.3 474.1
3dmark2001se 17322 17478 17403 17536 17323 17394 17225 / 17301 17381 16844 18013
superpi 209万位 103 102 103 102 103 102 104 / 104 102 106 97
pcmark04
memory 5078 5205 5164 5209 5170 5207 4975 / 5119 5201 4587 5503
sisoft2004内存带宽(mb/s)
int 5751 5813 5741 5891 5792 5813 5465 / 5794 5841 4821 6138
float 5790 5821 5794 5898 5838 5856 5466 / 5790 5867 4854 6133
cacheman(mb/s)
read 3601.1 3679.6 3640.2 3680.1 3627.9 3669.4 3480 / 3611.6 3684.1 3158.2 3930.6
write 1569.7 1651.7 1582.9 1686 1579.3 1653.1 1490.8 / 1575.2 1652.3 1232.2 1688.9


  DDR产品简介


  ◎勤茂DDR500

  内存规格

  内存电压:2.8V

  CAS Latency Time=2.5

  Active to Prechange=8

  DRAM RAS# to CAS# Delay=4

  DRAM RAS# Prechange=4


  ◎富豪DDR500

  内存规格

  内存电压:2.75V

  CAS Latency Time=3

  Active to Prechange=8

  DRAM RAS# to CAS# Delay=4

  DRAM RAS# Prechange=4

  ◎BUFFALO DDR533


  内存规格

  内存电压:2.75V

  CAS Latency Time=2.5

  Active to Prechange=8

  DRAM RAS# to CAS# Delay=4

  DRAM RAS# Prechange=4


  ◎威刚DDR500

  内存规格

  内存电压:2.75V

  CAS Latency Time=3

  Active to Prechange=8

  DRAM RAS# to CAS# Delay=4

  DRAM RAS# Prechange=4


  ◎南方高科DDR466


  内存规格

  内存电压:2.75V

  CAS Latency Time=2.5

  Active to Prechange=8

  DRAM RAS# to CAS# Delay=4

  DRAM RAS# Prechange=4