出版日期：2001-09-10　总期号：1053　本年期号：68

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做出新圆片摩托罗拉在硅上加了化合物 　　摩托罗拉公司9月4日宣布，它的研究人员已经开发出一种在传统的硅元素基础上结合了诸如镓砷化合物等高性能材料的新半导体圆片。 　　Motorola实验室的两位科学家正展示全球第一个硅上镓砷化合物材料的12英寸圆片。 　　摩托罗拉公司称，这项工作可能会根本改变芯片业，使更加强劲且成本显著降低的半导体设备得以发展。摩托罗拉资深副总裁兼首席技术官Dennis Roberson说：“这正在改变整个半导体业业已建筑在其上的原材料体系。” 　　在未来，由于受硅本身的限制，单纯靠硅，想继续在每单位区域增加晶体管数量，并不断把芯片的性能推进到新的高度将极其困难。技术人员正在从其他领域寻求解决方案，如上周IBM的研究人员宣布用碳纳米管制造出最小的逻辑电路，并且声称这最终将取代硅，就是这方面的尝试。 　　而在半导体工业中众所周知，一些化合材料，其中包括镓砷化合物和铟磷化合物，能提供比硅更好的性能。这些材料还能适应高辐射和高温，可用于军事和人造卫星等应用领域。但是和硅不同，它们昂贵且难以和硅协同工作。早先以基本的物理方式，使硅和高性能的化合物材料结合的努力并不成功。这以后，摩托罗拉研究人员第一次于1998年提出了一个新的解决方案，其核心是在硅和这些化合物间建立一个媒介层。按照这一思路，现在该公司终于有了成果，摩托罗拉称：已经在硅基础上结合镓砷化合物开发出8英寸和12英寸的圆片，并且正在开发硅上的铟磷化合物。摩托罗拉希望在一年内开始使用这项技术。