出版日期：2002-02-25　总期号：1095　本年期号：12

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英特尔CPU表演10GHz 　　在2月4日召开的国际固态电路会议（ISSCC）上，英特尔展示了数项采用先进技术的产品，其中包括工作速度达10GHz的微处理器，以及有望在未来替代闪存产品的非挥发性内存。 　　英特尔这款可在室温下冲刺10GHz的微处理器，速度已创下世界纪录。尽管它仍处于实验室测试阶段，数年后才能真正在市场上露面，但毕竟已是对摩尔定律的又一次重大突破——目前微处理器工作速度倍增的时间，已低于摩尔定律中描述的18个月。 　　英特尔之所以能够推出工作速度如此之快的微处理器，主要得益于晶体管技术改进，其栅极长度大大缩短。国际半导体技术联盟在2001年11月提出的技术发展蓝图（ITRS）中指出，当前半导体厂商已能将晶体管栅极长度缩小到90纳米，相当于360个原子排成一列的长度，这已大大超过1999年时ITRS预测的140纳米极限。 　　据了解，英特尔还运用了调适性偏压（Adaptive Body Bias）技术，晶体管可适应微弱的电流，在低耗电状态下能更有效增加晶体管的开关速度。 　　此外，英特尔还在ISSCC上公布了Itanium系列最新产品McKinley的技术细节。McKinley由英特尔与惠普共同开发。 　　而英特尔这次推出的新款非挥发性内存，则是由独立发明家Stanford Ovshinsky开发的。 　　他在Ovonic内存的硅芯片上加上一层硫系化合物，使其读写速度远高于快闪存储器，达1亿次以上，体积也较小。英特尔预测，未来3～5年内Ovonic内存就可替换闪存，成为市场主流。