出版日期：2003-09-15　总期号：1250　本年期号：69

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IBM晶体管技术获新突破 科译 　　IBM的研究人员近日研制出一项晶体管新技术，此新技术能帮助在几年后制造出更快且更有效的芯片。 　　IBM成功开发出第一个使用应变硅技术的晶体管。当解决制造工艺问题后，这种晶体管可以提供较以往高很多的性能。同时，这一晶体管将两种原有的硅技术结合在一起，这也是业界第一次。此外，IBM宣布这一实验突破将于12月在华盛顿举行在国际电子器件会议（IEDM）上正式公布详情。 　　此新技术的诞生主要得益于IBM成功地将应变硅和硅绝缘体（SOI）集成在同一个圆片上。应变硅提高了电子灵活性，即电子在硅中的运行速度，而SOI则降低了漏电流。两种技术的结合能够将晶体管的总体性能提高20%～30%。 　　SOI这一技术由IBM率先研制，也是为了解决能源问题而最早进行开发的技术之一。应变硅将在今年晚些时间出现在英特尔的Prescott和Dothan芯片中。这个概念最早是在上个世纪80年代晚期和90年代早期提出来的，但是被大多数人忽视。 　　尽管概念很吸引人，但是嵌入应变硅并非易事。英特尔的技术总监称，仅英特尔应变硅芯片的90毫微米生产流程，就大概要经历1600到1700个步骤。 　　应变硅和SOI的结合在某种程度上是技术发展的必然趋势。但IBM认为要实现它十分困难。IBM没有公布其生产计划，但据IBM内部人士透露，其中的一项技术会在几年之后付诸实施。