出版日期：2003-11-10　总期号：1265　本年期号：84

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新材料解决功耗散热难题 英特尔引发CPU“基因”革命 王龙 　　11月5日,英特尔公司宣布，该公司研究人员已发现一种新型制造材料，该材料可取代芯片制造业使用了30多年的现有材料，并能够解决芯片制造中面临的漏电、功耗以及发热问题。随着芯片制造商在微小的硅片上集成越来越多的晶体管，漏电现象已成为日益困扰业界的问题。对于半导体行业，这一突破性的创新无疑是一项重大成就。 　　英特尔开发的新材料包括两项重要的突破：发现可以取代目前使用的二氧化硅的合适的“高k栅极电介质”材料；确定可取代目前的栅极材料并与高k栅极电介质材料兼容的金属栅极材料。英特尔研究人员已经利用这种新型材料，开发出了创记录的高性能晶体管。新材料有助于减少额外的热量。英特尔说，新的高k材料在减少漏电的能力上将比二氧化硅提高100多倍。 　　英特尔技术与制造事业部高级副总裁兼总经理周尚林（Sunlin Chou）说：“众所周知，散热和漏电现象多年来一直是半导体行业发展‘摩尔定律’前进的根本障碍，由于不断增加的功率和发热问题，利用当前的材料很难满足减小晶体管尺寸的需求。因此，要让摩尔定律在未来仍然适用，使用新材料和创新的晶体管结构势在必行。”