出版日期：2004-09-06　总期号：1345　本年期号：66

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碳化硅硅晶圆 　　事件 　　随着处理器时钟频率的日益提升和功能的不断增加，芯片的发热量问题早已成为芯片制造商的挠头问题。但丰田中心研发实验室日前却表示，他们已经找到了该问题的解决方案。 　　据日本Science Journal Nature报道，丰田中心研发实验室目前已经开发出一种新的碳化硅（SiC）硅晶圆的制造方法，通过该技术可以有效解决芯片发热量过高的问题。 　　据悉，该制造工艺主要是通过一种高温气体来生长一个SiC层，通过该方法制造出的硅晶圆几乎没有任何瑕疵，而发热量也只有普通硅晶圆的1/3到1/2。 SiC是一种半导体，主要应用于电子领域。但由于其高达2700摄氏度的融化点，其实际应用价值得到了一定限制。 　　据丰田中心实验室的研发人员表示，该制造工艺正式商用还需要6年左右的时间。 　　观点 　　纽卡斯尔大学电子学专家Nick Wright认为：“发热量过高问题已经困扰了电子行业多年，而这种新的碳化硅（SiC）硅晶圆的制造方式能够较好地解决这个问题。因为日本国家高级工业科技研究所研发的SiC晶体管已经具备低能耗、高效率和高电压等特征。”